1月15日消息，今年多款旗舰设备预计都会搭载高通810，不过近期却有消息称高通810存在过热问题，面临着推迟的状况。许是担心高通810易出现过热问题，消息称，三星Galaxy S6会放弃高通810。

周四最新消息称，三星会使用自己的Exynos芯片替代高通810，该芯片采用14纳米工艺生产。

消息人士称，起初80%到90%的三星Galaxy S6会搭载Exynos芯片，余下10%的三星Galaxy S6则会使用高通810。要是高通810过热问题解决，三星会提升搭载该处理器的Galaxy S6的比例。

高通810由TSMC量产，采用20纳米工艺。TSMC去年7月份开始使用16nm FinFET工艺。由于三星想在Galaxy S6中使用Exynos，三星打算本季度开始使用14纳米FinFET技术。

三星Galaxy S6预计会在今年3月的MWC2015上发布，消息称，Galaxy S6会有两个版本：一版采用一体化金属设计，一版采用曲面显示屏。